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近日，据韩国媒体ETNews报道，SK海力士正全力推进其全球领先的16层堆叠（16Hi）HBM3E内存的生产准备工作。目前，全面生产测试已正式启动，这一举措为明年初的样品展示以及2025年上半年实现大规模量产和供应奠定了坚实基础。

SK海力士的这款16Hi HBM3E内存，通过采用24Gb DRAM芯片和先进的MR-RUF键合技术，成功实现了单堆栈48GB的超大容量。与前一代12Hi HBM3E相比，该产品在人工智能训练和推理能力上分别实现了18%和32%的显著提升。16Hi堆叠技术预计将在下一代HBM4内存中得到全面应用。

报道指出，SK海力士目前正在积极引进和测试生产16Hi HBM3E所需的新工艺设备，并对现有生产设备进行优化和检修。据知情人士透露，该公司在这一新型内存的关键工艺测试中已取得令人满意的成果。

这一系列的举措表明，SK海力士正致力于推动内存技术的不断创新与升级。通过不断提升产品的性能和容量，该公司正努力满足日益增长的市场需求，特别是在人工智能和高性能计算领域。

业内人士认为，SK海力士在16Hi HBM3E内存上的成功，不仅将为其带来显著的竞争优势，还将推动整个内存行业的发展。随着技术的不断进步和市场的不断扩大，SK海力士有望在未来继续引领内存技术的潮流。